深圳平湖实验室研发团队取得新进展，成功研制出高性能低压氮化镓器件

12月16日，记者从深圳平湖实验室获悉，该实验室研发团队在低压（15V-40V）氮化镓（GaN）功率器件领域取得突破性进展，成功研制出高性能低压GaN E-HEMT（增强型高电子迁移率晶体管）器件，关键性能达到国际先进水平，为高效、高功率密度计算芯片供电提供全新解决方案。

当前，随着人工智能的快速发展，计算芯片对供电系统在效率与功率密度方面提出了更高要求。传统硅基功率器件在性能提升上已逐渐接近物理极限，而作为宽禁带半导体代表之一的GaN器件，凭借其高电子迁移率、高速开关等特性，被视为下一代高效功率转换的核心。然而，在低压应用场景中，GaN器件的成本与性能优势尚未完全显现，成为制约其大规模应用的关键瓶颈。

面对这一挑战，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队依托实验室先进的8英寸硅基GaN科研中试平台，采用p-GaN增强型技术路径，先后攻克了一系列长期制约产业化的关键技术难题，涉及高迁移率外延技术、欧姆区二次外延技术、小尺寸线条制备技术等。其中，在小尺寸线条制备技术上，成功实现0.3微米栅线条与0.4微米欧姆开口线条制备。

基于上述核心技术突破，深圳平湖实验室低压氮化镓研发团队成功研制出高性能15V-40V GaN E-HEMT器件。其中代表性的25V 器件的关键参数达到国际先进水平，大幅突破传统硅基技术的性能极限。

此项成果不仅证实了p-GaN增强型技术路线在高性能15V-40V低压GaN器件领域的可实现性与竞争力，也为下一代计算芯片供电提供了基于GaN的高效、高功率密度解决方案，有望重塑AI算力供电的技术与市场格局，推动整个产业向更高效、更节能的方向加速发展。

目前，基于该成果开发的晶圆级封装（WLCSP）器件已进入工程流片阶段，预计25V与15V电压等级WLCSP样品将分别于2026年第一季度和第二季度对外发布，将推动该技术的产业化应用进程。