近日，教育部对2019年度高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）获奖名单进行公示。香港中文大学（深圳）唐叔贤院士课题组完成的“宽禁带半导体的生长与光学性质研究”科研成果荣获2019年教育部自然科学奖二等奖。

唐叔贤院士

唐叔贤是香港中文大学（深圳）理工学院教授及研究生院院长、中国科学院院士、美国物理学会会士、第三世界科学院院士。作为一名材料表面科学与技术专家，他长期从事材料表面科学与技术研究，发展了固体中电子的多重散射理论体系，对低能电子衍射（LEED）、光电子衍射(PHD)、高分辨电子能量损失谱（HREELS）等技术测量结果的定量分析上作出了创造性的系统贡献。唐院士获奖无数，学术声誉享誉世界，写有6本著作，并在国际高水平学术期刊发表文章280多篇，包括Science、Physics Today、Advances in Physics、Progress in Surface Science等。

唐叔贤院士主讲基础物理

据介绍，宽带隙半导体具有可以在高温和高电压下服役的独特性能，该性能是基于硅工艺的电子设备不具备的，而且其在发光的时候也不会产生大量热能，所以由这些材料生产的发光器件非常节能环保。因此，宽带隙半导体材料具有广泛应用于照明领域的潜力。由于在合适的衬底材料上生长成宽带隙半导体材料，并通过特定的制备工艺合成一维和二维微缩型器件，在制备方法及发光性能表征方面做出了重要贡献，唐叔贤院士团队科研成果获评2019年教育部自然科学奖二等奖。

高等学校科学研究优秀成果奖（科学技术）由中国教育部设立，旨在鼓励和推动在科学技术进步中做出突出贡献的高等学校教师、科技工作者和科研组织。该奖分设自然科学奖、技术发明奖、科技进步奖和青年科学奖，面向全国高等院校，由专家审议选定，每年评审一次。

来源 龙岗融媒

编辑 刘思凡