第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议在深举行，共论宽禁带半导体发展方向

近1000位国内外专家学者和企业代表、超350家行业企业……近日，由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟和中国科学院物理研究所主办，北京天科合达半导体股份有限公司和深圳市重投天科半导体有限公司承办的第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议在深举行，本届会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，聚焦宽禁带半导体（SiC、GaN、Ga2O3、AlN、金刚石等）相关材料、器件及前沿应用，共同探讨宽禁带半导体材料的前沿技术成果和最新市场动态，贡献了全球宽禁带半导体领域的智慧与力量。

开幕式上，市发展改革委党组成员、副主任朱云，北京天科合达半导体股份有限公司董事长刘伟，坪山区委常委、常务副区长袁虎勇，大会主席林雪平大学 Daniela Gogova研究员现场致辞。

本届会议共邀请来自瑞典、美国、马来西亚、日本、新加坡、中国以及中国台湾和香港地区等六十余位行业顶尖专家、企业家，共同分享宽禁带半导体技术最新研究进展，交换产业前瞻性观点，展示企业先进成果，促进亚太地区宽禁带半导体领域产学研用的相互合作和交流，推动宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业高质量发展。

此外，会议还设置了宽禁带半导体产业专业展区，吸引了超过110家企业的参展。集中展示耗材、智能装备、先进材料、器件、封测、终端产品等领域的新技术、新成果、新产品，全面深度促进亚太地区宽禁带半导体事业政-产-学-研-用-金的开放创新，为参会企业和观众提供集产品展示、技术交流、商务洽谈的综合性优质交流平台。

主办方供图

编辑  李璐 审读 吴剑林 二审  党毅浩 三审 赵明